台积电美国增资方面，建置12寸晶圆厂（第二期厂），生产2nm及3nm制程，加上台积电已申请美国子公司投增资金额115亿美元，累计台积电对美国厂申请投增资金額达165亿美元。
台湾《风传媒》12日引用美国《纽约时报》的一篇文章，细数台积电赴美建厂遇到的挑战，再次引起岛内热议。自2020年5月首次宣布赴美设厂以来，台积电已陆续规划在美国亚利桑那州建3座工厂，累计投资高达650亿美元，是美国史上最大的外方直接投资项目。但4年过去了，台积电亚利桑那厂还未产出任何半导体产品。
今年4月，美国政府宣布，计划向台积电提供66亿美元现金补贴、50亿美元低息贷款，总额116亿美元，支持其在美国本土的芯片制造。
台媒转引《纽约时报》这篇文章的报道下，不少台湾网友留言称，“不要再强迫台积电到国外设厂了，条件根本就不一样，是要把钱丢到水里吗，还是以后一直亏钱补贴？”还有人直言“台积电公司被民进党所害”“建给美国人看的，不需要去理会它”。岛内舆论称，台积电在美国建厂麻烦不断，归根结底，是因为其建厂计划并非单纯从商业利益出发，而是美国与民进党当局共同施压的结果。台湾前“经济部长”尹启铭此前撰文称，台积电赴美投资完全是为了配合美国的政治和经济利益，不仅未能得到应有的协助，反而得如此屈膝卑躬地应对各方索取和强悍态度对待，“不禁要呼吁台积电：该离开美国的时候就离开吧！”
专利摘要显示，本申请的实施例公开了半导体结构及其形成方法。形成半导体结构的方法包括在半导体层上形成鳍，在鳍的侧壁上沉积隔离部件，使鳍的部分凹陷以形成暴露半导体层的顶面的第一沟槽，在第一沟槽中形成牺牲部件，在牺牲部件上形成外延部件，暴露牺牲部件的底面，去除所述牺牲部件以形成暴露所述外延部件的底面的第二沟槽，并在所述第二沟槽中形成导电部件。导电部件电耦合到外延部件。
按照计划，谷歌Tensor G5将在明年正式登场，由Pixel 10系列首发搭载。
台积电先进制程产能逐渐开出，以3纳米台南厂来说，第三季将进入量产，明年P8厂也会有EUV机台陆续导入，新竹宝山2纳米在接续三年EUV拉货动能强劲、高雄2纳米也同步进行。
6.英伟达AI GPU H200上游芯片端于Q2下旬起进入量产期，预计在Q3以后大量交货。
其中，台积电3nm代工报价涨幅或在5%以上，先进封装明年年度报价涨幅在10%—20%。
